题 目：利用太赫兹时间分辨谱研究半导体材料的太赫兹非线性效应

主讲人：苏付海 博士

时 间：5月28日（星期五）下午2:30

地 点：固体所三号楼二楼会议室

欢迎各位老师和同学参加。

报告人将会详细介绍太赫兹研究背景、进展及其应用等。

太赫兹是频率范围在100GHz-30THz之间，介于红外和微波之间的电磁波。太赫兹具有强穿透性，安全性以及良好的频谱分辨等特征，在信息和通信，生物和医学，安全检查，地球环境检测等领域具有重要的应用价值。通过飞秒激光器，利用光电导开关，非线性光学晶体或者空气等离子体等可产生亚皮秒时间宽度的太赫兹脉冲，进而以泵浦-探测技术为基础的太赫兹时间分辨谱开始引起大家的关注。但长期以来，由于太赫兹脉冲产生效率的限制，太赫兹的非线性效应的研究不得不通过自由电子激光器，同步辐射加速器等系统产生的太赫兹连续波来实现。由于其探测手段是非相干的强度测量，其研究方法和一般光学波段的非线性一样，限制于频率域。我们利用大口径ZnTe晶体和LiNbO3太赫兹源，通过飞秒激光器，产生亚皮秒时间宽带，单个脉冲能量在微焦量级的太赫兹脉冲，研究了InGaAs，GaAs等半导体材料的太赫兹非线性效应。由于自由空间电光检测技术允许相干的探测太赫兹电场强度，我们通过z-scan，太赫兹时间分辨谱等技术首次直接获得了InGaAs，GaAs的导带的G-L谷间散射动力学过程。另外，我们还证明了太赫兹脉冲引起的非线性效应该在时间域进行研究。

关键词：太赫兹，非线性，谷间散射