摘要：随着微电子工业按“摩尔定律”不断发展，硅基集成电路基本构成单元MOSFET的特征尺寸也在不断缩小，而传统栅介质SiO2厚度减薄到一定程度后产生的漏电流将使器件无法继续工作。高介电常数（k）材料由于具有较高的介电常数，在保证相同等效氧化物厚度（EOT）条件下，可以增加栅介质层的物理厚度来降低器件漏电流，因而广泛研究用于替代传统SiO2作为未来栅介质材料。报告回顾了高k栅介质薄膜的研究背景及意义，介绍了高k栅介质薄膜的研究现状，最后简单分析了高k栅介质薄膜目前存在的问题及未来发展趋势。

关键词：高k栅介质；漏电流；SiO2栅介质；MOSFET