报告人简介：杨辉，男，北京大学无线电系本科毕业，中国科学院半导体所博士研究生毕业。1993-1996年
在德国柏林Paul-Drude-Institute for Solid state electronics 做博士后和客座研究员。1998年获国家
杰出青年基金，曾任国家863计划光电子主题专家组成员。研究领域为III-V族化合物半导体的材料生长、
物理分析及其器件。现为中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（筹）所长，博士生导师，同时为香
港大学荣誉教授，北京邮电大学和同济大学客座教授，中国电子学会电子材料分会副主任委员。
主要学术贡献： 1992年在国内首次用MOCVD技术生长出高质量GaAs/AlGaAs量子阱材料及低阈值激光器，
使国内MOCVD材料生长技术和量子阱激光器研制水平同时都上了一个台阶，达到当时的国际水平；1999年成
功研制出了世界上第一只立方相GaN蓝色发光二极管器件，开发成功了氮化镓基LED中游工艺产业化技术，
与深圳方大合作率先在国内成功实现了氮化镓基蓝绿光LED的产业化；2004年研制出中国大陆第一支氮化镓
基蓝光激光器。目前的研究课题包括氮化镓基激光器、氮化镓基紫外探测器、硅衬底上氮化镓基发光器件
及其集成技术等氮化镓基半导体材料与器件以及开发领域的前沿研究，主持了“863”重大项目，中科院重
大项目以及国家基金项目。在国际著名期刊发表80余篇论文，被SCI、EI等引用次数超过1000次。两次获中
国科学院科学技术进步二等奖。
