2006年国家杰出青年基金获得者. 1996年于北京师范大学获博士学位；1996年至1998年中科院半导体所博士后；1998年至2000年比利时安特卫普大学Research Fellow；2006年香港中文大学杨振宁Fellowship。2001年获得百人计划资助任中科院半导体所研究员。2004年度国家自然科学二等奖 获得者之一（夏建白、李树深、常凯、朱邦芬）。Appl.Phys.Lett/J.Appl.Phys.和 Solid State Commun. 审稿人。研究方向：近来研究兴趣主要是铁磁半导体的机制，低维半导体结构中自旋－轨道耦合和自旋霍尔效应，介观结构中自旋流，自旋态的弛豫和相干控制等。

  主要贡献：(1).从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应，并被国际上著名的实验组证实。在国际上较早开展对球形层状量子点的理论研究，并预言了可能存在II型激子。(2).发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子，解释了A.C.Gossard小组的实验工作。近期系统细致地研究了半导体自旋电子学方面不同自旋注入方案的优缺点。(3). 研究了稀磁半导体二维电子气的纵向磁阻，理论与实验十分吻合。(4).考虑自旋－轨道耦合，发现在弱磁场下可以在弱极化体系中实现共振自旋极化。近来发现为国际上广泛采用的线性Rashba自旋－轨道耦合模型在高电子浓度下严重偏离严格的数值结果，我们提出了非线性的Rashba模型能够 很好地解释数值和实验结果，并提供了清晰的物理图象。研究了稀磁半导体量子点的g因子调控，理论和实验十分吻合，并预言了g因子从负到正的转变。