报告人：廖蕾（武汉大学物理科学与技术学院）

报告题目：石墨烯高速晶体管的研制与应用

报告时间：7月21日下午2:00

报告地点：3号楼3楼会议室

报告摘要：

众所周知，石墨烯是一种二维晶体，最大的特性是其中载流子的运动速度达到了光速的 1/300，远远超过了电子在一般导体中的运动速度。石墨烯同时也是非常优良的导体，尤其适合于高频电路。研究人员甚至将石墨烯看作是硅的替代品，能用来生产未来的超级计算机。为了解决在不影响单层石墨性质的条件下研制顶栅介电层，我们使用物理转移的方法将介电纳米材料转移到单层石墨烯表面，获得电子迁移率20,000 cm²/Vs,顶栅石墨烯场效应晶体管。继而利用Co₂Si/Al₂O₃纳米线作为栅极，通过自对准技术，利用纳米线做模板，获得导电通道达到140 nm的顶栅石墨烯晶体管，通过测量，该晶体管拥有300 GHz的工作截止频率，也是迄今为止石墨烯射频晶体管的最高运行速度。为了更细致的研究单沟道石墨烯晶体管物理性质，以GaN纳米线作为栅极，通过自对准技术，获得导电通道小于100 nm的顶栅石墨烯晶体管，系统讨论石墨烯晶体管可能达到的最高截止频率，以及电子在石墨烯里面运行的速度。为了进一步扩展工作，利用CVD石墨烯研制大规模自对准石墨烯晶体管以及能够直接运行在GHz频率的倍频器和调制解调器。

报告人简历：

廖蕾，2004年获武汉大学理学学士学位，2009年获武汉大学工学博士学位。2009年4月到2011年2月在美国加州大学洛杉矶分校从事博士后研究。2011年2月被聘为武汉大学教授。主要利用电子束光刻等微加工技术，开展一维半导体纳米结构和二维石墨烯等材料的高性能场效应晶体管，非易失存储器，射频晶体管和气体传感器的研制。比如：开展一维金属氧化物纳米结构与石墨烯组装，构筑高速晶体管和微波晶体管研发，获得迁移率高达20,000 cm²/Vs的顶栅石墨烯场效应晶体管。通过自对准技术，研制出导电通道仅140 nm，工作截止频率国际上最高（300 GHz）的石墨烯晶体管。所获荣誉包括：2010年获得教育部新世纪优秀人才，2010年获得加州大学博士后研究奖提名奖和湖北省优秀博士论文，2008年新加坡访学期间获得新加坡千禧奖。在Nature，Nature Nanotech.，Nano Lett.，PNAS，JACS，Adv. Mater.等期刊发表论文多篇，引用1000余次。